Транзистор IGBT GT60N321

Артикул: 19390 Категорія:

150,00 

2 в наявності

2 в наявності

0 людей зараз дивляться цей продукт!

60N321-ToshibaSemiconductor

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

Параметри

IC(25C), A

Корпус, тип

PD(25C), W

Структура

Стан

Відгуки

Відгуків немає, поки що.

Будьте першим, хто залишив відгук “Транзистор IGBT GT60N321”“

Ваша e-mail адреса не оприлюднюватиметься. Обов’язкові поля позначені *